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标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望

文献类型:期刊论文

作者崔增文 ; 何山虎 ; 陈弘达 ; 毛陆虹 ; 高建玉
刊名半导体技术
出版日期2003
卷号28期号:4页码:30-32
中文摘要从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析了利用标准CMOS工艺来设计开发高速模拟器件和混合处理芯片的现状及发展潜力。
英文摘要从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析了利用标准CMOS工艺来设计开发高速模拟器件和混合处理芯片的现状及发展潜力。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:13导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4889.pdf: 112904 bytes, checksum: 2badd2e58157b21ecdfb14cf11f133bd (MD5) Previous issue date: 2003; 兰州大学微电子研究所;中国科学院半导体研究所
学科主题光电子学
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17711]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
崔增文,何山虎,陈弘达,等. 标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望[J]. 半导体技术,2003,28(4):30-32.
APA 崔增文,何山虎,陈弘达,毛陆虹,&高建玉.(2003).标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望.半导体技术,28(4),30-32.
MLA 崔增文,et al."标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望".半导体技术 28.4(2003):30-32.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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