GaN的声表面波特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩培德 ; 黎大兵
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:2页码:161-164 |
| 中文摘要 | 采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜。为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性，在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器，叉指换能器采用等叉指结构，叉指的数目为40对，叉指间距为15μm。采用脉冲法测量了声表面波在自由表面和金属表面上的速度，并通过计算得到了机电耦合系数(κ^2)。所测量的声表面波速度（ν)为5667m／s，机电耦合系数(κ^2)为1．9％。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金(6 86 1;699 6 2),国家重大基础研究项目(G2 683) |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17727]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩培德,黎大兵. GaN的声表面波特性研究[J]. 发光学报,2003,24(2):161-164. |
| APA | 韩培德,&黎大兵.(2003).GaN的声表面波特性研究.发光学报,24(2),161-164. |
| MLA | 韩培德,et al."GaN的声表面波特性研究".发光学报 24.2(2003):161-164. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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