Si(100)衬底上n-3C-SiC／p-Si异质结构研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孙国胜 ; 孙艳玲 ; 王雷 ; 赵万顺 ; 罗木昌 ; 李建平 ; 曾一平 ; 林兰英 |
| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:2页码:130-134 |
| 中文摘要 | 利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C-SiC外延膜，扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C-SiC／p—Si界面平整、光滑，无明显的坑洞形成。研究了以In和Al为接触电极的3C-SiC／p—Si异质结的I—V，C-V特性及I—V特性的温度依赖关系，比较了In电极的3C-SiC／p—Si异质结构和以SiGe作为缓冲层的3C-SiC／SiGe／p—Si异质结构的I—V特性，实验发现引入SiGe缓冲层后，器件的反向击穿电压由40V提高到70V以上。室温下A1电极3C-SiC／p—Si二极管的最大反向击穿电压接近100V，品质因子为1．95。 |
| 英文摘要 | 利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C-SiC外延膜，扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C-SiC／p—Si界面平整、光滑，无明显的坑洞形成。研究了以In和Al为接触电极的3C-SiC／p—Si异质结的I—V，C-V特性及I—V特性的温度依赖关系，比较了In电极的3C-SiC／p—Si异质结构和以SiGe作为缓冲层的3C-SiC／SiGe／p—Si异质结构的I—V特性，实验发现引入SiGe缓冲层后，器件的反向击穿电压由40V提高到70V以上。室温下A1电极3C-SiC／p—Si二极管的最大反向击穿电压接近100V，品质因子为1．95。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:16导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4898.pdf: 144007 bytes, checksum: 40203381339dd7fba905354c66c4f92b (MD5) Previous issue date: 2003; 国家重点基础研究专项经费基金(G2 683),国家863高技术研究与发展项目基金(2 1AA311 9 )资助项目; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家重点基础研究专项经费基金(G2 683),国家863高技术研究与发展项目基金(2 1AA311 9 )资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17729]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙国胜,孙艳玲,王雷,等. Si(100)衬底上n-3C-SiC／p-Si异质结构研究[J]. 发光学报,2003,24(2):130-134. |
| APA | 孙国胜.,孙艳玲.,王雷.,赵万顺.,罗木昌.,...&林兰英.(2003).Si(100)衬底上n-3C-SiC／p-Si异质结构研究.发光学报,24(2),130-134. |
| MLA | 孙国胜,et al."Si(100)衬底上n-3C-SiC／p-Si异质结构研究".发光学报 24.2(2003):130-134. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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