钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩培德 ; 黎大兵
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:2页码:135-138 |
| 中文摘要 | 采用一种新方法生长多层InGaN／GaN量子点，研究所生长样品的结构和光学特性。该方法采用了低温生长和钝化工艺，所以称之为钝化低温法。第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm，高度15nm，量于点密度为6．3×10^10／cm^2。随着层数的增加，量子点的尺寸也逐渐增大。在样品的PL谱测试中，观察到在In(Ga)As材料系中普遍观察到的量子点发光的温度特性——超长红移现象。它们的光学特性表明 |
| 英文摘要 | 采用一种新方法生长多层InGaN／GaN量子点，研究所生长样品的结构和光学特性。该方法采用了低温生长和钝化工艺，所以称之为钝化低温法。第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm，高度15nm，量于点密度为6．3×10^10／cm^2。随着层数的增加，量子点的尺寸也逐渐增大。在样品的PL谱测试中，观察到在In(Ga)As材料系中普遍观察到的量子点发光的温度特性——超长红移现象。它们的光学特性表明; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:16导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4900.pdf: 131224 bytes, checksum: df1ff7431936b92c3d8a6a47c3082e94 (MD5) Previous issue date: 2003; 国家自然科学基金(6 86 1;699 6 2),国家重大基础研究项目(G2 683)资助项目; 中国科学院半导体研究所;清华大学物理系;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金(6 86 1;699 6 2),国家重大基础研究项目(G2 683)资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17733]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩培德,黎大兵. 钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性[J]. 发光学报,2003,24(2):135-138. |
| APA | 韩培德,&黎大兵.(2003).钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性.发光学报,24(2),135-138. |
| MLA | 韩培德,et al."钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性".发光学报 24.2(2003):135-138. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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