ZnS1-xTex混晶的压力光谱
文献类型：期刊论文
| 作者 | 方再利 ; 葛惟锟 ; 苏付海 ; 马宝珊 ; 刘南竹 ; 朱作明 ; 丁琨 ; 韩和相 ; 李国华 ; 葛惟锟 ; 苏萌强 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:4页码:370-376 |
| 中文摘要 | 研究了ZnS1-xTex(0.02≤x≤0.3)混晶的静压光致发光谱。每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰，来源于束缚在Ten(n≥2）等电子陷陆上的激子复合发光，且随压力（0．7GPa）而蓝移、发光峰的压力系数比相应混晶带边的都要小，随着Te组分的增加而减小，与混晶带隙压力系数的差别也越来越大。由于压力下与发光峰对应的吸引能量逐渐接近并超过激发光的能量，与发光峰有关的吸收效率降低，发光峰积分强度随着压力增加而减小。据此估算了Ten等电子中心的Stokes位移。发现Stokes位移随着Te组分的增加而减小。 |
| 英文摘要 | 研究了ZnS1-xTex(0.02≤x≤0.3)混晶的静压光致发光谱。每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰，来源于束缚在Ten(n≥2）等电子陷陆上的激子复合发光，且随压力（0．7GPa）而蓝移、发光峰的压力系数比相应混晶带边的都要小，随着Te组分的增加而减小，与混晶带隙压力系数的差别也越来越大。由于压力下与发光峰对应的吸引能量逐渐接近并超过激发光的能量，与发光峰有关的吸收效率降低，发光峰积分强度随着压力增加而减小。据此估算了Ten等电子中心的Stokes位移。发现Stokes位移随着Te组分的增加而减小。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:16导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4901.pdf: 451852 bytes, checksum: 15379ac2f0fa4d9e2cab15f1cbd924ec (MD5) Previous issue date: 2003; 中国科学院半导体研究所;香港科技大学物理系 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17735]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 方再利,葛惟锟,苏付海,等. ZnS1-xTex混晶的压力光谱[J]. 半导体学报,2003,24(4):370-376. |
| APA | 方再利.,葛惟锟.,苏付海.,马宝珊.,刘南竹.,...&苏萌强.(2003).ZnS1-xTex混晶的压力光谱.半导体学报,24(4),370-376. |
| MLA | 方再利,et al."ZnS1-xTex混晶的压力光谱".半导体学报 24.4(2003):370-376. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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