射频等离子体发射光谱分析在分子束外延GaN生长中的应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨冰 ; 蒲以康 ; 孙殿照 |
| 刊名 | 真空科学与技术学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 22期号:2页码:153-156 |
| 中文摘要 | 研究了射频等离子体辅助分子束外延生长GaN晶膜中氮等离子体的发射光谱。用非接触式测量方法-光谱法测定了等离子体特性。讨论了分子束外延生长系统参数的变化与等离子体发光光谱变化之间的联系，薄膜生长与等离子体内活性粒子之间的关系。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17739]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨冰,蒲以康,孙殿照. 射频等离子体发射光谱分析在分子束外延GaN生长中的应用[J]. 真空科学与技术学报,2002,22(2):153-156. |
| APA | 杨冰,蒲以康,&孙殿照.(2002).射频等离子体发射光谱分析在分子束外延GaN生长中的应用.真空科学与技术学报,22(2),153-156. |
| MLA | 杨冰,et al."射频等离子体发射光谱分析在分子束外延GaN生长中的应用".真空科学与技术学报 22.2(2002):153-156. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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