基于矢量光场的VCSEL数值模型
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵鼎 ; 林世鸣 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:12页码:1297-1302 |
| 中文摘要 | 提出了一种基于矢量光场的氧化层限制型VCSEL的数值模型，在综合考虑激光器中电场方程、热场方程、栽流子方程的前提下，采用矢量方程对器件中的光场分布进行描述，计算表明所得结果能够更合理地反映器件实际的工作状态。文中还进一步将上述矢量场方程与传输矩阵法和时域有限差分法相结合，通过计算获得器件中光场的详细信息。 |
| 英文摘要 | 提出了一种基于矢量光场的氧化层限制型VCSEL的数值模型，在综合考虑激光器中电场方程、热场方程、栽流子方程的前提下，采用矢量方程对器件中的光场分布进行描述，计算表明所得结果能够更合理地反映器件实际的工作状态。文中还进一步将上述矢量场方程与传输矩阵法和时域有限差分法相结合，通过计算获得器件中光场的详细信息。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:19导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4922.pdf: 238494 bytes, checksum: 7e6502001b913574368f0f4ad6da0e7c (MD5) Previous issue date: 2003; 国家自然科学基金资助项目（批准号; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金资助项目（批准号 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17751]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵鼎,林世鸣. 基于矢量光场的VCSEL数值模型[J]. 半导体学报,2003,24(12):1297-1302. |
| APA | 赵鼎,&林世鸣.(2003).基于矢量光场的VCSEL数值模型.半导体学报,24(12),1297-1302. |
| MLA | 赵鼎,et al."基于矢量光场的VCSEL数值模型".半导体学报 24.12(2003):1297-1302. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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