双异质外延SOI材料Si/γ-Al_3O_3/Si的外延生长
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王俊; 王俊 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:12页码:1289-1292 |
| 中文摘要 | 利用MOCVD（metalorganic chemical vapor deposition）和APCVD（atmosphere chemical vapor deposition）硅外延技术在Si(100)衬底上成功地制备了双异质Si/γ-Al_2O_3/Si SOI材料。利用反射式高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）及俄歇能谱（AES）对材料进行了表征。测试结果表明，外延生长的γ-Al_2O_3和Si薄膜都是单晶薄膜，其结晶取向为（100）方向，外延层中Al与O化学配比为2:3。同时，γ-Al_2O_3外延层具有良好的绝缘性能，其介电常数为8.3，击穿场强为2.5MV/cm。AES的结果表明，Si/γ-Al_2O_3/Si双异质外延SOI材料两个异质界面陡峭清晰。 |
| 英文摘要 | 利用MOCVD（metalorganic chemical vapor deposition）和APCVD（atmosphere chemical vapor deposition）硅外延技术在Si(100)衬底上成功地制备了双异质Si/γ-Al_2O_3/Si SOI材料。利用反射式高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）及俄歇能谱（AES）对材料进行了表征。测试结果表明，外延生长的γ-Al_2O_3和Si薄膜都是单晶薄膜，其结晶取向为（100）方向，外延层中Al与O化学配比为2:3。同时，γ-Al_2O_3外延层具有良好的绝缘性能，其介电常数为8.3，击穿场强为2.5MV/cm。AES的结果表明，Si/γ-Al_2O_3/Si双异质外延SOI材料两个异质界面陡峭清晰。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:19导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4923.pdf: 291750 bytes, checksum: e4d5043dadf5d9ac56972a54d16e9b27 (MD5) Previous issue date: 2003; 国家重点基础研究专项经费资助项目（No. G2 365）; 中科院半导体所材料科学中心 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家重点基础研究专项经费资助项目（No. G2 365） |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17753]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王俊,王俊. 双异质外延SOI材料Si/γ-Al_3O_3/Si的外延生长[J]. 半导体学报,2003,24(12):1289-1292. |
| APA | 王俊,&王俊.(2003).双异质外延SOI材料Si/γ-Al_3O_3/Si的外延生长.半导体学报,24(12),1289-1292. |
| MLA | 王俊,et al."双异质外延SOI材料Si/γ-Al_3O_3/Si的外延生长".半导体学报 24.12(2003):1289-1292. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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