多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王圩 ; 朱洪亮
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 24期号:8页码:841-846 |
| 中文摘要 | 提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB-LD集成器件（EML）耦合效率的对接生长方法。采用LP-MOCVD外延方法，制作了对接方法不同的三种样片，通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌，发现新对接结构的样片具有更好的对接界面。制作出相应的三种EML管芯，从测量所得到的出光功率特性曲线，计算出不同对接方法下EML管芯的耦合效率和外量子效率。实验结果表明，这种对接生长方案，可以获得光滑的对界面，显著提高了激光器和调制器之间的耦合效率（从常规的17%提高到78％）及EML器件的外量子效率（从0.03mW/mA提高到0.15mW/mA)。 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家高技术研究发展计划(No.2 1AA312 5 ),国家重点基础研究发展规划(No. G2 683 1)资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17813]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王圩,朱洪亮. 多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法[J]. 半导体学报,2003,24(8):841-846. |
| APA | 王圩,&朱洪亮.(2003).多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法.半导体学报,24(8),841-846. |
| MLA | 王圩,et al."多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法".半导体学报 24.8(2003):841-846. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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