提高（100）晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵有文 ; 段满龙 ; 孙文荣 ; 杨子祥 ; 焦景华 ; 赵建群 ; 曹慧梅 ; 吕旭如 |
| 刊名 | 人工晶体学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 32期号:5页码:460-463 |
| 中文摘要 | 通过对高压液封直接法单晶生长过程的热传输和影响熔体温度起伏的几个关键因素的分析，研究适全生长（100）晶向磷化铟单晶的热场系统，有效地降低了孪晶产生的几率，重复地生长出了整锭掺硫和掺铁的、直径为50mm和76mm的（100）磷化铟单晶。测试结果表明我们生长（100）磷化铟单晶的热场在生长过程中使晶锭保持较为平坦的固液界面，可稳定地获得具有低的缺陷密度和良好的电学均匀性的高质量磷化铟单晶材料。 |
| 英文摘要 | 通过对高压液封直接法单晶生长过程的热传输和影响熔体温度起伏的几个关键因素的分析，研究适全生长（100）晶向磷化铟单晶的热场系统，有效地降低了孪晶产生的几率，重复地生长出了整锭掺硫和掺铁的、直径为50mm和76mm的（100）磷化铟单晶。测试结果表明我们生长（100）磷化铟单晶的热场在生长过程中使晶锭保持较为平坦的固液界面，可稳定地获得具有低的缺陷密度和良好的电学均匀性的高质量磷化铟单晶材料。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:31导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4964.pdf: 508660 bytes, checksum: 5404747c7df2c21ed3076fb139bcec9b (MD5) Previous issue date: 2003; 中科院半导体所材料科学中心 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17835]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵有文,段满龙,孙文荣,等. 提高（100）晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究[J]. 人工晶体学报,2003,32(5):460-463. |
| APA | 赵有文.,段满龙.,孙文荣.,杨子祥.,焦景华.,...&吕旭如.(2003).提高（100）晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究.人工晶体学报,32(5),460-463. |
| MLA | 赵有文,et al."提高（100）晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究".人工晶体学报 32.5(2003):460-463. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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