InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点（线）的光学性质研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 武光明 ; 朱江 ; 李月法 ; 贾锐 |
| 刊名 | 材料研究学报
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| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 17期号:6页码:566-570 |
| 中文摘要 | 在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线，并研究了量子点、线的光学性质。结果表明，两种方式都可生长出较强发光的量子点(线)；由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构，分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连续性而造成的。 |
| 英文摘要 | 在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线，并研究了量子点、线的光学性质。结果表明，两种方式都可生长出较强发光的量子点(线)；由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构，分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连续性而造成的。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:32导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4966.pdf: 286817 bytes, checksum: 409909ab014ca8d25a847fd1e4285675 (MD5) Previous issue date: 2003; 国家自然科学基金资助项目69876 37; 北京石油化工学院;中国科学院半导体研究所;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金资助项目69876 37 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17839]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 武光明,朱江,李月法,等. InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点（线）的光学性质研究[J]. 材料研究学报,2003,17(6):566-570. |
| APA | 武光明,朱江,李月法,&贾锐.(2003).InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点（线）的光学性质研究.材料研究学报,17(6),566-570. |
| MLA | 武光明,et al."InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点（线）的光学性质研究".材料研究学报 17.6(2003):566-570. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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