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10*10nGaAsP/InP阵列波导光栅器件的研制

文献类型:期刊论文

作者于丽娟
刊名高技术通讯
出版日期2003
卷号13期号:6页码:49-50
中文摘要研制了脊形波导结构的10*10InGaAsP/InP阵列波导光栅器件(AWG),并采用掺饵光纤放大器(EDFA)作宽带光源测量了AWG的近场图以及分光特性。
英文摘要研制了脊形波导结构的10*10InGaAsP/InP阵列波导光栅器件(AWG),并采用掺饵光纤放大器(EDFA)作宽带光源测量了AWG的近场图以及分光特性。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:33导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4970.pdf: 174235 bytes, checksum: a4c284634a555902bd9c86e3ac12c5d0 (MD5) Previous issue date: 2003; 973计划(2 366 4)资助项目; 中国科学半导体研究所;兰州大学物理系
学科主题光电子学
收录类别CSCD
资助信息973计划(2 366 4)资助项目
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17847]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
于丽娟. 10*10nGaAsP/InP阵列波导光栅器件的研制[J]. 高技术通讯,2003,13(6):49-50.
APA 于丽娟.(2003).10*10nGaAsP/InP阵列波导光栅器件的研制.高技术通讯,13(6),49-50.
MLA 于丽娟."10*10nGaAsP/InP阵列波导光栅器件的研制".高技术通讯 13.6(2003):49-50.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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