Formation and characterization of Ni/Al Ohmic contact on n+-type GeSn
文献类型：期刊论文
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| 作者 | Xu Zhang; Dongliang Zhang; Jun Zheng; Zhi Liu; Chao He; Chunlai Xue; Guangze Zhang; Chuanbo Li; Buwen Cheng; Qiming Wang |
| 刊名 | solid-state electronics
 ; Solid-State Electronics
|
| 出版日期 | 2015 ; 2015 |
| 卷号 | 114页码:178–181 |
| 学科主题 | 光电子学 ; 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-22 ; 2016-03-22 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26657]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xu Zhang,Dongliang Zhang,Jun Zheng,et al. Formation and characterization of Ni/Al Ohmic contact on n+-type GeSn, Formation and characterization of Ni/Al Ohmic contact on n+-type GeSn[J]. solid-state electronics, Solid-State Electronics,2015, 2015,114, 114:178–181, 178–181. |
| APA | Xu Zhang.,Dongliang Zhang.,Jun Zheng.,Zhi Liu.,Chao He.,...&Qiming Wang.(2015).Formation and characterization of Ni/Al Ohmic contact on n+-type GeSn.solid-state electronics,114,178–181. |
| MLA | Xu Zhang,et al."Formation and characterization of Ni/Al Ohmic contact on n+-type GeSn".solid-state electronics 114(2015):178–181. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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