Ni(Ge1-x-ySixSny) Ohmic Contact Formation on p-type Ge0.86Si0.07Sn0.07
文献类型：期刊论文
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| 作者 | Jun Zheng; Suyuan Wang; Xu Zhang; Zhi Liu; Chunlai Xue; Chuanbo Li; Yuhua Zuo; Buwen Cheng; Qiming Wang |
| 刊名 | ieee electron device letters
 ; IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
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| 出版日期 | 2015 ; 2015 |
| 卷号 | 36期号:9页码:878-880 |
| 学科主题 | 光电子学 ; 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-22 ; 2016-03-22 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26643]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Jun Zheng,Suyuan Wang,Xu Zhang,et al. Ni(Ge1-x-ySixSny) Ohmic Contact Formation on p-type Ge0.86Si0.07Sn0.07, Ni(Ge1-x-ySixSny) Ohmic Contact Formation on p-type Ge0.86Si0.07Sn0.07[J]. ieee electron device letters, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2015, 2015,36, 36(9):878-880, 878-880. |
| APA | Jun Zheng.,Suyuan Wang.,Xu Zhang.,Zhi Liu.,Chunlai Xue.,...&Qiming Wang.(2015).Ni(Ge1-x-ySixSny) Ohmic Contact Formation on p-type Ge0.86Si0.07Sn0.07.ieee electron device letters,36(9),878-880. |
| MLA | Jun Zheng,et al."Ni(Ge1-x-ySixSny) Ohmic Contact Formation on p-type Ge0.86Si0.07Sn0.07".ieee electron device letters 36.9(2015):878-880. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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