Inhibitation of Si-Ge interdiffusion in Ge-on-insulator structures formed by rapid melt growth
文献类型：期刊论文
| ; | |
| 作者 | J.J.Wen; Z. Liu; T.W. Zhou; C.L. Xue; Y.H. Zuo; C.B. Li; Q.M. Wang; B.W. Cheng |
| 刊名 | thin solid films
 ; THIN SOLID FILMS
|
| 出版日期 | 2015 ; 2015 |
| 卷号 | 586页码:54-57 |
| 学科主题 | 光电子学 ; 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-22 ; 2016-03-22 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26646]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | J.J.Wen,Z. Liu,T.W. Zhou,et al. Inhibitation of Si-Ge interdiffusion in Ge-on-insulator structures formed by rapid melt growth, Inhibitation of Si-Ge interdiffusion in Ge-on-insulator structures formed by rapid melt growth[J]. thin solid films, THIN SOLID FILMS,2015, 2015,586, 586:54-57, 54-57. |
| APA | J.J.Wen.,Z. Liu.,T.W. Zhou.,C.L. Xue.,Y.H. Zuo.,...&B.W. Cheng.(2015).Inhibitation of Si-Ge interdiffusion in Ge-on-insulator structures formed by rapid melt growth.thin solid films,586,54-57. |
| MLA | J.J.Wen,et al."Inhibitation of Si-Ge interdiffusion in Ge-on-insulator structures formed by rapid melt growth".thin solid films 586(2015):54-57. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。