Sn-Guided Defect-Free GeSn Lateral Growth on Si by Molecular Beam Epitaxy
文献类型：期刊论文
| ; | |
| 作者 | Dalin Zhang; Zhi Liu; Dongliang Zhang; Xu Zhang; Junying Zhang; Jun Zheng; Yuhua Zuo; Chunlai Xue; Chuanbo Li; Shunri Oda |
| 刊名 | journal of physical chemistry c
 ; Journal of Physical Chemistry C
|
| 出版日期 | 2015 ; 2015 |
| 卷号 | 119页码:17842−17847 |
| 学科主题 | 光电子学 ; 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-22 ; 2016-03-22 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26681]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Dalin Zhang,Zhi Liu,Dongliang Zhang,et al. Sn-Guided Defect-Free GeSn Lateral Growth on Si by Molecular Beam Epitaxy, Sn-Guided Defect-Free GeSn Lateral Growth on Si by Molecular Beam Epitaxy[J]. journal of physical chemistry c, Journal of Physical Chemistry C,2015, 2015,119, 119:17842−17847, 17842−17847. |
| APA | Dalin Zhang.,Zhi Liu.,Dongliang Zhang.,Xu Zhang.,Junying Zhang.,...&Qiming Wang.(2015).Sn-Guided Defect-Free GeSn Lateral Growth on Si by Molecular Beam Epitaxy.journal of physical chemistry c,119,17842−17847. |
| MLA | Dalin Zhang,et al."Sn-Guided Defect-Free GeSn Lateral Growth on Si by Molecular Beam Epitaxy".journal of physical chemistry c 119(2015):17842−17847. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。