Ni ohmic contacts to n-type Ge1−x−ySixSny using phosphorous implant and segregation
文献类型：期刊论文
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| 作者 | Suyuan Wang; Jun Zheng; Chunlai Xue; Chuanbo Li; Yuhua Zuo; Buwen Cheng; Qiming Wang |
| 刊名 | AIP Advances
 ; AIP Advances
|
| 出版日期 | 2015 ; 2015 |
| 卷号 | 5期号:12 |
| 学科主题 | 光电子学 ; 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-22 ; 2016-03-22 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26686]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Suyuan Wang,Jun Zheng,Chunlai Xue,et al. Ni ohmic contacts to n-type Ge1−x−ySixSny using phosphorous implant and segregation, Ni ohmic contacts to n-type Ge1−x−ySixSny using phosphorous implant and segregation[J]. AIP Advances, AIP Advances,2015, 2015,5, 5(12). |
| APA | Suyuan Wang.,Jun Zheng.,Chunlai Xue.,Chuanbo Li.,Yuhua Zuo.,...&Qiming Wang.(2015).Ni ohmic contacts to n-type Ge1−x−ySixSny using phosphorous implant and segregation.AIP Advances,5(12). |
| MLA | Suyuan Wang,et al."Ni ohmic contacts to n-type Ge1−x−ySixSny using phosphorous implant and segregation".AIP Advances 5.12(2015). |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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