A quantum dot asymmetric self-gated nanowire FET for high sensitive detection
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhangchun Shi ; Xiaohong Yang ; Chenglei Nie ; Weihong Yin ; Qin Han ; Haiqiao Ni ; Zhichuan Niu |
| 刊名 | aip advances
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 5期号:1页码:017108 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-22 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26687]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhangchun Shi,Xiaohong Yang,Chenglei Nie,et al. A quantum dot asymmetric self-gated nanowire FET for high sensitive detection[J]. aip advances,2015,5(1):017108. |
| APA | Zhangchun Shi.,Xiaohong Yang.,Chenglei Nie.,Weihong Yin.,Qin Han.,...&Zhichuan Niu.(2015).A quantum dot asymmetric self-gated nanowire FET for high sensitive detection.aip advances,5(1),017108. |
| MLA | Zhangchun Shi,et al."A quantum dot asymmetric self-gated nanowire FET for high sensitive detection".aip advances 5.1(2015):017108. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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