Origins of low energy-transfer efficiency between patterned GaN quantum well and CdSe quantum
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xingsheng Xu |
| 刊名 | applied physics letters
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 106页码:091101 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-22 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26691]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xingsheng Xu. Origins of low energy-transfer efficiency between patterned GaN quantum well and CdSe quantum[J]. applied physics letters,2015,106:091101. |
| APA | Xingsheng Xu.(2015).Origins of low energy-transfer efficiency between patterned GaN quantum well and CdSe quantum.applied physics letters,106,091101. |
| MLA | Xingsheng Xu."Origins of low energy-transfer efficiency between patterned GaN quantum well and CdSe quantum".applied physics letters 106(2015):091101. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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