Resonant energy transfer between patterned InGaN/GaN quantum wells and CdSe/ZnS quantum
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xingsheng Xu ; Huayong Wang |
| 刊名 | nanoscale
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 8期号:1页码:342-347 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-22 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26698]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xingsheng Xu,Huayong Wang. Resonant energy transfer between patterned InGaN/GaN quantum wells and CdSe/ZnS quantum[J]. nanoscale,2015,8(1):342-347. |
| APA | Xingsheng Xu,&Huayong Wang.(2015).Resonant energy transfer between patterned InGaN/GaN quantum wells and CdSe/ZnS quantum.nanoscale,8(1),342-347. |
| MLA | Xingsheng Xu,et al."Resonant energy transfer between patterned InGaN/GaN quantum wells and CdSe/ZnS quantum".nanoscale 8.1(2015):342-347. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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