Intersubband Transition in GaN/InGaN Multiple Quantum Wells
文献类型：期刊论文
| 作者 | G. Chen ; X.Q. Wang ; X. Rong ; P. Wang ; F.J. Xu ; N. Tang ; Z.X. Qin ; Y.H. Chen ; B. Shen |
| 刊名 | scientific reports
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 5页码:11485 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-22 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26647]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | G. Chen,X.Q. Wang,X. Rong,et al. Intersubband Transition in GaN/InGaN Multiple Quantum Wells[J]. scientific reports,2015,5:11485. |
| APA | G. Chen.,X.Q. Wang.,X. Rong.,P. Wang.,F.J. Xu.,...&B. Shen.(2015).Intersubband Transition in GaN/InGaN Multiple Quantum Wells.scientific reports,5,11485. |
| MLA | G. Chen,et al."Intersubband Transition in GaN/InGaN Multiple Quantum Wells".scientific reports 5(2015):11485. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。