Two Different Growth Mechanisms for Au-Free InAsSb Nanowires Growth on Si Substrate
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wenna Du ; Xiaoguang Yang ; Huayong Pan ; Xiaoye Wang ; Haiming Ji ; Shuai Luo ; Xianghai Ji ; Zhanguo Wang ; Tao Yang |
| 刊名 | crystal growth & design
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 15页码:2413−2418 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-22 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26680]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wenna Du,Xiaoguang Yang,Huayong Pan,et al. Two Different Growth Mechanisms for Au-Free InAsSb Nanowires Growth on Si Substrate[J]. crystal growth & design,2015,15:2413−2418. |
| APA | Wenna Du.,Xiaoguang Yang.,Huayong Pan.,Xiaoye Wang.,Haiming Ji.,...&Tao Yang.(2015).Two Different Growth Mechanisms for Au-Free InAsSb Nanowires Growth on Si Substrate.crystal growth & design,15,2413−2418. |
| MLA | Wenna Du,et al."Two Different Growth Mechanisms for Au-Free InAsSb Nanowires Growth on Si Substrate".crystal growth & design 15(2015):2413−2418. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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