Broadband tunable InAs/InP quantum dot external-cavity laser emitting around 1.55 mu
文献类型：期刊论文
| 作者 | F. Gao ; S. Luo ; H.M. Ji ; X.G. Yang ; P. Liang ; T. Yang |
| 刊名 | optics express
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 23期号:14页码:18493 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-22 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26693]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | F. Gao,S. Luo,H.M. Ji,et al. Broadband tunable InAs/InP quantum dot external-cavity laser emitting around 1.55 mu[J]. optics express,2015,23(14):18493. |
| APA | F. Gao,S. Luo,H.M. Ji,X.G. Yang,P. Liang,&T. Yang.(2015).Broadband tunable InAs/InP quantum dot external-cavity laser emitting around 1.55 mu.optics express,23(14),18493. |
| MLA | F. Gao,et al."Broadband tunable InAs/InP quantum dot external-cavity laser emitting around 1.55 mu".optics express 23.14(2015):18493. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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