High performance 2150 nm-emitting InAs/InGaAs/InP quantum well lasers grown by metalorganic vapor phase epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | S. Luo ; H.M. Ji ; F. Gao ; F. Xu ; X.G. Yang ; P. Liang ; T. Yang |
| 刊名 | optics express
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 23期号:7页码:8383-8388 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-22 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26720]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | S. Luo,H.M. Ji,F. Gao,et al. High performance 2150 nm-emitting InAs/InGaAs/InP quantum well lasers grown by metalorganic vapor phase epitaxy[J]. optics express,2015,23(7):8383-8388. |
| APA | S. Luo.,H.M. Ji.,F. Gao.,F. Xu.,X.G. Yang.,...&T. Yang.(2015).High performance 2150 nm-emitting InAs/InGaAs/InP quantum well lasers grown by metalorganic vapor phase epitaxy.optics express,23(7),8383-8388. |
| MLA | S. Luo,et al."High performance 2150 nm-emitting InAs/InGaAs/InP quantum well lasers grown by metalorganic vapor phase epitaxy".optics express 23.7(2015):8383-8388. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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