Hybrid type-I InAs/GaAs and type-II GaSb/GaAs quantum dot structure with enhanced photoluminescence
文献类型：期刊论文
| 作者 | Hai-Ming Ji ; Baolai Liang ; Paul J. Simmonds ; Bor-Chau Juang ; Tao Yang ; Robert J. Young ; Diana L.Huffaker |
| 刊名 | applied physics letters
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 106页码:103104 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-22 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26732]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Hai-Ming Ji,Baolai Liang,Paul J. Simmonds,et al. Hybrid type-I InAs/GaAs and type-II GaSb/GaAs quantum dot structure with enhanced photoluminescence[J]. applied physics letters,2015,106:103104. |
| APA | Hai-Ming Ji.,Baolai Liang.,Paul J. Simmonds.,Bor-Chau Juang.,Tao Yang.,...&Diana L.Huffaker.(2015).Hybrid type-I InAs/GaAs and type-II GaSb/GaAs quantum dot structure with enhanced photoluminescence.applied physics letters,106,103104. |
| MLA | Hai-Ming Ji,et al."Hybrid type-I InAs/GaAs and type-II GaSb/GaAs quantum dot structure with enhanced photoluminescence".applied physics letters 106(2015):103104. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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