半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘文楷 ; 林世鸣 ; 张存善 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 51期号:9页码:2052-2056 |
| 中文摘要 | 采用传输矩阵方法利用半经典的线性色散模型，计算半导体微腔内同时存在重空穴激子、轻空穴激子时，在不同入射角度下的反射谱，同时，利用三简谐振子耦合模型计算了在不同入射角度下，腔模同时和重空穴激子模、轻空穴激子耦合所形成的三支腔极化激元的能量，以及腔模、重空穴激子模、轻空穴激子模分别三支腔极化激元中所占的权重，结果表明随着入射角的增加腔极化激元的高能支和两个低能支之间存在明显的反交叉现象，同时，腔模和重穴激子模、轻空穴激子模在腔极化激元中所占的权重呈现增加或减小的趋势。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金（批准号 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17895]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘文楷,林世鸣,张存善. 半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合[J]. 物理学报,2002,51(9):2052-2056. |
| APA | 刘文楷,林世鸣,&张存善.(2002).半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合.物理学报,51(9),2052-2056. |
| MLA | 刘文楷,et al."半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合".物理学报 51.9(2002):2052-2056. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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