纳米技术与能带工程对Si基高效发光的促进
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王启明 |
| 刊名 | 物理学进展
 |
| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 22期号:4页码:359-370 |
| 中文摘要 | 自1991年Canham L. T发现多孔Si的强发光特性之后，Si基发光的系列性探索已走过了10年的路程。人们从中认请了一些重要的科学问题，发展和掌握了许多新的技术，也取得了许多有价值的重要进展。可以说过去的10年是处於四方探索的百花齐放阶段。现在夫论从应用目标的需求和开拓研究的思路与途径，都更加明确、集中，一个有实用价值的Si基发光器件的研究高潮即将来临。本文着重评述介绍了四个方面的研究进展，即局域态nc-Si的发光，基於能带工程的Si基发光，纳米结构Si化物的发光和Ge/Si量子点的发光研究，指出了各自存在的问题，提出了若干新的研究思路。本文还把Si基发光的研究与微电子发展需求紧密结合，由此提出了下一阶段开展Si基发光研究应予遵循的几项原则。 |
| 英文摘要 | 自1991年Canham L. T发现多孔Si的强发光特性之后，Si基发光的系列性探索已走过了10年的路程。人们从中认请了一些重要的科学问题，发展和掌握了许多新的技术，也取得了许多有价值的重要进展。可以说过去的10年是处於四方探索的百花齐放阶段。现在夫论从应用目标的需求和开拓研究的思路与途径，都更加明确、集中，一个有实用价值的Si基发光器件的研究高潮即将来临。本文着重评述介绍了四个方面的研究进展，即局域态nc-Si的发光，基於能带工程的Si基发光，纳米结构Si化物的发光和Ge/Si量子点的发光研究，指出了各自存在的问题，提出了若干新的研究思路。本文还把Si基发光的研究与微电子发展需求紧密结合，由此提出了下一阶段开展Si基发光研究应予遵循的几项原则。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:42导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4997.pdf: 224365 bytes, checksum: 5de127254ea39cd248c0e9ae73443301 (MD5) Previous issue date: 2002; 国家自然科学基金重大项目（No.6989626 ）; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金重大项目（No.6989626 ） |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17901]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王启明. 纳米技术与能带工程对Si基高效发光的促进[J]. 物理学进展,2002,22(4):359-370. |
| APA | 王启明.(2002).纳米技术与能带工程对Si基高效发光的促进.物理学进展,22(4),359-370. |
| MLA | 王启明."纳米技术与能带工程对Si基高效发光的促进".物理学进展 22.4(2002):359-370. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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