氢化非晶硅氧薄膜微结构
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王永谦 ; 廖显伯 ; 刁宏伟 ; 程文超 ; 李国华 ; 陈长勇 ; 张世斌 ; 徐艳月 ; 陈维德 ; 孔光临 |
| 刊名 | 中国科学. A辑，数学
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| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 32期号:6页码:531-537 |
| 中文摘要 | 以Raman散射、X射线电子能谱和红外吸了光谱细致研究了PECVD法250℃衬底温度下制备的氢化非晶硅氧（a-SiOx:H)薄膜的微结构及键构型。研究表明，在0．52≤x≤1.58的氧含量范围内，a-SiOx:H薄膜成分和结构不是均一的，依赖于局域键构型氧化程度的不同，大致存在着5种在一定程度上相互分离的结构组分，即Si,Si2O(:H),SiO(:H),Si2O3(:H)和SiO2。其中的Si相以非氢化的非晶硅（a-Si)颗粒形式存在，随氧含量x的增加其尺度持续减小但始终存在。提出一种多壳层模型来描述a-SiOx:H薄膜的结构，认为a-SiOx:H薄膜中a-Si颗粒依次为Si2O(:H),SiO(:H),Si2O3(:H)和SiO2壳层所包围。随薄膜氧含量x的增加，各壳层厚度相应变化但各自的化学构成基本保持不变。 |
| 英文摘要 | 以Raman散射、X射线电子能谱和红外吸了光谱细致研究了PECVD法250℃衬底温度下制备的氢化非晶硅氧（a-SiOx:H)薄膜的微结构及键构型。研究表明，在0．52≤x≤1.58的氧含量范围内，a-SiOx:H薄膜成分和结构不是均一的，依赖于局域键构型氧化程度的不同，大致存在着5种在一定程度上相互分离的结构组分，即Si,Si2O(:H),SiO(:H),Si2O3(:H)和SiO2。其中的Si相以非氢化的非晶硅（a-Si)颗粒形式存在，随氧含量x的增加其尺度持续减小但始终存在。提出一种多壳层模型来描述a-SiOx:H薄膜的结构，认为a-SiOx:H薄膜中a-Si颗粒依次为Si2O(:H),SiO(:H),Si2O3(:H)和SiO2壳层所包围。随薄膜氧含量x的增加，各壳层厚度相应变化但各自的化学构成基本保持不变。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:43导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5000.pdf: 508583 bytes, checksum: 2200b7aef65697aa4ab9706f25125b50 (MD5) Previous issue date: 2002; 国家自然科学基金（批准号：69976 28， 2989 217）,基础研究国家重点发展计划（批准号：2 282 1）资助项目; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金（批准号：69976 28， 2989 217）,基础研究国家重点发展计划（批准号：2 282 1）资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17907]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王永谦,廖显伯,刁宏伟,等. 氢化非晶硅氧薄膜微结构[J]. 中国科学. A辑，数学,2002,32(6):531-537. |
| APA | 王永谦.,廖显伯.,刁宏伟.,程文超.,李国华.,...&孔光临.(2002).氢化非晶硅氧薄膜微结构.中国科学. A辑，数学,32(6),531-537. |
| MLA | 王永谦,et al."氢化非晶硅氧薄膜微结构".中国科学. A辑，数学 32.6(2002):531-537. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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