Fabrication and photoelectric properties of La-doped p-type ZnO nanofibers and crossed p–n homojunctions by electrospinning
文献类型：期刊论文
| 作者 | H.D. Zhang ; M. Yu ; J.C. Zhang ; C.H. Sheng ; X. Yan ; W.P. Han ; Y.C. Liu ; S. Chen ; G.Z. Shen ; Y.Z. Long |
| 刊名 | Nanoscale
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 7期号:23页码:10513-10518 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26879]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | H.D. Zhang,M. Yu,J.C. Zhang,et al. Fabrication and photoelectric properties of La-doped p-type ZnO nanofibers and crossed p–n homojunctions by electrospinning[J]. Nanoscale,2015,7(23):10513-10518. |
| APA | H.D. Zhang.,M. Yu.,J.C. Zhang.,C.H. Sheng.,X. Yan.,...&Y.Z. Long.(2015).Fabrication and photoelectric properties of La-doped p-type ZnO nanofibers and crossed p–n homojunctions by electrospinning.Nanoscale,7(23),10513-10518. |
| MLA | H.D. Zhang,et al."Fabrication and photoelectric properties of La-doped p-type ZnO nanofibers and crossed p–n homojunctions by electrospinning".Nanoscale 7.23(2015):10513-10518. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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