Electric-Field Tunable Band Offsets in Black Phosphorus and MoS2 van der Waals p-n Heterostructure
文献类型:期刊论文
作者 | Le Huang ; Nengjie Huo ; Yan Li ; Hui Chen ; Juehan Yang ; Zhongming Wei ; Jingbo Li ; Shu-Shen Li |
刊名 | journal of physical chemistry letters |
出版日期 | 2015 |
卷号 | 6期号:13页码:2483-2488 |
学科主题 | 半导体物理 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2016-03-29 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26923] |
专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Le Huang,Nengjie Huo,Yan Li,et al. Electric-Field Tunable Band Offsets in Black Phosphorus and MoS2 van der Waals p-n Heterostructure[J]. journal of physical chemistry letters,2015,6(13):2483-2488. |
APA | Le Huang.,Nengjie Huo.,Yan Li.,Hui Chen.,Juehan Yang.,...&Shu-Shen Li.(2015).Electric-Field Tunable Band Offsets in Black Phosphorus and MoS2 van der Waals p-n Heterostructure.journal of physical chemistry letters,6(13),2483-2488. |
MLA | Le Huang,et al."Electric-Field Tunable Band Offsets in Black Phosphorus and MoS2 van der Waals p-n Heterostructure".journal of physical chemistry letters 6.13(2015):2483-2488. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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