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Electric-Field Tunable Band Offsets in Black Phosphorus and MoS2 van der Waals p-n Heterostructure

文献类型:期刊论文

作者Le Huang ; Nengjie Huo ; Yan Li ; Hui Chen ; Juehan Yang ; Zhongming Wei ; Jingbo Li ; Shu-Shen Li
刊名journal of physical chemistry letters
出版日期2015
卷号6期号:13页码:2483-2488
学科主题半导体物理
收录类别SCI
语种英语
公开日期2016-03-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26923]  
专题半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
Le Huang,Nengjie Huo,Yan Li,et al. Electric-Field Tunable Band Offsets in Black Phosphorus and MoS2 van der Waals p-n Heterostructure[J]. journal of physical chemistry letters,2015,6(13):2483-2488.
APA Le Huang.,Nengjie Huo.,Yan Li.,Hui Chen.,Juehan Yang.,...&Shu-Shen Li.(2015).Electric-Field Tunable Band Offsets in Black Phosphorus and MoS2 van der Waals p-n Heterostructure.journal of physical chemistry letters,6(13),2483-2488.
MLA Le Huang,et al."Electric-Field Tunable Band Offsets in Black Phosphorus and MoS2 van der Waals p-n Heterostructure".journal of physical chemistry letters 6.13(2015):2483-2488.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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