Improving the Field-Effect Performance of Bi2S3 Single Nanowires by an Asymmetric Device Fabrication
文献类型：期刊论文
| 作者 | Fangyuan Lu ; Renxiong Li ; Yan Li ; Nengjie Huo ; Juehan Yang ; Yongtao Li ; Bo Li ; Shengxue Yang ; Zhongming Wei ; Jingbo Li |
| 刊名 | chemphyschem
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 16期号:1页码:99-103 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26758]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Fangyuan Lu,Renxiong Li,Yan Li,et al. Improving the Field-Effect Performance of Bi2S3 Single Nanowires by an Asymmetric Device Fabrication[J]. chemphyschem,2015,16(1):99-103. |
| APA | Fangyuan Lu.,Renxiong Li.,Yan Li.,Nengjie Huo.,Juehan Yang.,...&Jingbo Li.(2015).Improving the Field-Effect Performance of Bi2S3 Single Nanowires by an Asymmetric Device Fabrication.chemphyschem,16(1),99-103. |
| MLA | Fangyuan Lu,et al."Improving the Field-Effect Performance of Bi2S3 Single Nanowires by an Asymmetric Device Fabrication".chemphyschem 16.1(2015):99-103. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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