Novel Optical and Electrical Transport Properties in Atomically Thin WSe2/MoS2 p–n Heterostructures
文献类型：期刊论文
| 作者 | Nengjie Huo ; Sefaattin Tongay ; Wenli Guo ; Renxiong Li ; Chao Fan ; Fangyuan Lu ; Juehan Yang ; Bo Li ; Yongtao Li ; Zhongming Wei |
| 刊名 | Advanced Electronic Materials
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 1期号:5页码:1400066 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26893]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Nengjie Huo,Sefaattin Tongay,Wenli Guo,et al. Novel Optical and Electrical Transport Properties in Atomically Thin WSe2/MoS2 p–n Heterostructures[J]. Advanced Electronic Materials,2015,1(5):1400066. |
| APA | Nengjie Huo.,Sefaattin Tongay.,Wenli Guo.,Renxiong Li.,Chao Fan.,...&Zhongming Wei.(2015).Novel Optical and Electrical Transport Properties in Atomically Thin WSe2/MoS2 p–n Heterostructures.Advanced Electronic Materials,1(5),1400066. |
| MLA | Nengjie Huo,et al."Novel Optical and Electrical Transport Properties in Atomically Thin WSe2/MoS2 p–n Heterostructures".Advanced Electronic Materials 1.5(2015):1400066. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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