GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王玉田 ; 赵德刚; 张书明
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| 刊名 | 中国科学. E辑，技术科学
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| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 32期号:5页码:584-589 |
| 中文摘要 | 利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上，并又利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底．SEM和PL观察表明，利用键合技术可以完整地把立方相GaN以外延薄膜转移到新的衬底上而不改变外延层的物理和光学性质．XRD(x射线衍射)结果分析显示，键合后的样品中出现了新的合金和化合物 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家“八六三”计划基金,国家杰出青年基金,国家自然科学基金-RGC联合基金资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17917]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王玉田,赵德刚,张书明. GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术[J]. 中国科学. E辑，技术科学,2002,32(5):584-589. |
| APA | 王玉田,赵德刚,&张书明.(2002).GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术.中国科学. E辑，技术科学,32(5),584-589. |
| MLA | 王玉田,et al."GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术".中国科学. E辑，技术科学 32.5(2002):584-589. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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