Contact properties of field-effect transistors based on InAs nanowire thinner than 16 nm
文献类型：期刊论文
| 作者 | Tuanwei Shi ; Mengqi Fu ; Dong Pan ; Yao Guo ; Jianhua Zhao ; Qing Chen |
| 刊名 | nanotechnology
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 26页码:175202 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26822]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Tuanwei Shi,Mengqi Fu,Dong Pan,et al. Contact properties of field-effect transistors based on InAs nanowire thinner than 16 nm[J]. nanotechnology,2015,26:175202. |
| APA | Tuanwei Shi,Mengqi Fu,Dong Pan,Yao Guo,Jianhua Zhao,&Qing Chen.(2015).Contact properties of field-effect transistors based on InAs nanowire thinner than 16 nm.nanotechnology,26,175202. |
| MLA | Tuanwei Shi,et al."Contact properties of field-effect transistors based on InAs nanowire thinner than 16 nm".nanotechnology 26(2015):175202. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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