Optical and structural characteristics of high indium content InGaN/GaN multi-quantum wells with varying GaN cap layer thickness
文献类型：期刊论文
| 作者 | J. Yang ; D. G. Zhao ; D. S. Jiang ; P. Chen ; J. J. Zhu ; Z. S. Liu ; L. C. Le ; X. J. Li ; X. G. He ; J. P. Liu ; H. Yang ; Y. T. Zhang ; G. T. Du |
| 刊名 | journal of applied physics
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 117页码:055709 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26755]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | J. Yang,D. G. Zhao,D. S. Jiang,et al. Optical and structural characteristics of high indium content InGaN/GaN multi-quantum wells with varying GaN cap layer thickness[J]. journal of applied physics,2015,117:055709. |
| APA | J. Yang.,D. G. Zhao.,D. S. Jiang.,P. Chen.,J. J. Zhu.,...&G. T. Du.(2015).Optical and structural characteristics of high indium content InGaN/GaN multi-quantum wells with varying GaN cap layer thickness.journal of applied physics,117,055709. |
| MLA | J. Yang,et al."Optical and structural characteristics of high indium content InGaN/GaN multi-quantum wells with varying GaN cap layer thickness".journal of applied physics 117(2015):055709. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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