清洗后硅片表面的电子结构
文献类型：期刊论文
| 作者 | 曹宝成 ; 于新好 ; 马谨 ; 马洪磊 ; 刘忠立 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 22期号:4页码:496-499 |
| 中文摘要 | 介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗工艺。利用红外吸收谱、X射线光电子谱和原子力显微镜等，把它和标准RCA清洗工艺的清洗效果做了比较。测试结果表明，经清洗过的硅片表面主要是由硅、氧和碳三种元素组成，它们分别以Si-O健、C-O健和Si-C键的形式存在。两种清洗技术都在硅片表面产生氧化硅层，在硅片表面都存在有机碳污染，但新型半导体清洗工艺产生的有机碳污染少于标准RCA清洗。在对硅片表面的粗糙化影响方面，新型半导体清洗技术清洗明显优于标准RCA清洗技术。 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金资助项目（批准号6 176 32） |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17923]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹宝成,于新好,马谨,等. 清洗后硅片表面的电子结构[J]. 固体电子学研究与进展,2002,22(4):496-499. |
| APA | 曹宝成,于新好,马谨,马洪磊,&刘忠立.(2002).清洗后硅片表面的电子结构.固体电子学研究与进展,22(4),496-499. |
| MLA | 曹宝成,et al."清洗后硅片表面的电子结构".固体电子学研究与进展 22.4(2002):496-499. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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