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InAs/GaAs单电子量子点量子比特的失相率
文献类型：期刊论文
| 作者 | 牛智川
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| 刊名 | 中国科学. A辑，数学
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| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 32期号:6页码:556-559 |
| 中文摘要 | 在有效质量包络函数理论近似下，计算了InAs/GaAs量子点的参数相图，确切定义了InAs/GaAs量子点的参数的范围，使得该量子点能作为二能级量子系统用于量子计算；发现静电场能够有效延长消相干时间，当外加静电场超过20kV/cm时，消相干时间能够达到毫秒量级。这些结果有助于未来实现固态量子计算。 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金（批准号 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17925]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛智川. InAs/GaAs单电子量子点量子比特的失相率[J]. 中国科学. A辑，数学,2002,32(6):556-559. |
| APA | 牛智川.(2002).InAs/GaAs单电子量子点量子比特的失相率.中国科学. A辑，数学,32(6),556-559. |
| MLA | 牛智川."InAs/GaAs单电子量子点量子比特的失相率".中国科学. A辑，数学 32.6(2002):556-559. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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