Nanoscale opening fabrication on Si (111) surface from SiO2 barrier for vertical growth of III-V nanowire arrays
文献类型：期刊论文
| 作者 | Tuanwei Shi ; Xiaoye Wang ; Baojun Wang ; Wei Wang ; Xiaoguang Yang ; Wenyuan Yang ; Qing Chen ; Hongqi Xu ; Shengyong Xu ; Tao Yang |
| 刊名 | nanotechnology
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 26期号:26页码:265302 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26747]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Tuanwei Shi,Xiaoye Wang,Baojun Wang,et al. Nanoscale opening fabrication on Si (111) surface from SiO2 barrier for vertical growth of III-V nanowire arrays[J]. nanotechnology,2015,26(26):265302. |
| APA | Tuanwei Shi.,Xiaoye Wang.,Baojun Wang.,Wei Wang.,Xiaoguang Yang.,...&Tao Yang.(2015).Nanoscale opening fabrication on Si (111) surface from SiO2 barrier for vertical growth of III-V nanowire arrays.nanotechnology,26(26),265302. |
| MLA | Tuanwei Shi,et al."Nanoscale opening fabrication on Si (111) surface from SiO2 barrier for vertical growth of III-V nanowire arrays".nanotechnology 26.26(2015):265302. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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