Possible atomic structures responsible for the sub-bandgap absorption of chalcogen hyper doped
文献类型：期刊论文
| 作者 | KeFan Wang ; Hezhu Shao ; Kong Liu ; Shengchun Qu ; Yuanxu Wang ; Zhanguo Wang |
| 刊名 | applied physics letters
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 107页码:112106 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26782]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KeFan Wang,Hezhu Shao,Kong Liu,et al. Possible atomic structures responsible for the sub-bandgap absorption of chalcogen hyper doped[J]. applied physics letters,2015,107:112106. |
| APA | KeFan Wang,Hezhu Shao,Kong Liu,Shengchun Qu,Yuanxu Wang,&Zhanguo Wang.(2015).Possible atomic structures responsible for the sub-bandgap absorption of chalcogen hyper doped.applied physics letters,107,112106. |
| MLA | KeFan Wang,et al."Possible atomic structures responsible for the sub-bandgap absorption of chalcogen hyper doped".applied physics letters 107(2015):112106. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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