GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李国华 ; 方再利 ; 丁琨 ; 韩和相 ; 曾美思 ; 王建农 ; 葛惟锟 ; 潘钟 ; 李联合 ; 吴荣汉 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 2002 |
| 卷号 | 22期号:4页码:399-403 |
| 中文摘要 | 在15K和0-9GPa静压范围下测量了GaN0.015As0.985/GaAs量子阱的光致发光谱。观察到了GaNAs阱和GaAs垒的发光，发现GaNAs阱发光峰随压力的变化比GaAs垒发光峰要小很多。当压力超过2.5GPa后还观察到了与GaAs中的N等电子陷阱有关的一组新发光峰。用二能级模型及测得的GaAs带边和N等电子能级的压力行为计算了GaNAs发光峰随压力的变化，但计算结果与实验结果相差甚大，表明二能级模型并不安全适用。对观察到的GaNAs发光峰的强度和半宽随压力的变化也进行了简短讨论。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金（6 176 8）,香港RGC基金（HKUST6125/98P）,国家攀登项目（G2 366 3） |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17931]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李国华,方再利,丁琨,等. GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究[J]. 固体电子学研究与进展,2002,22(4):399-403. |
| APA | 李国华.,方再利.,丁琨.,韩和相.,曾美思.,...&吴荣汉.(2002).GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究.固体电子学研究与进展,22(4),399-403. |
| MLA | 李国华,et al."GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究".固体电子学研究与进展 22.4(2002):399-403. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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