Longer than 1.9 μm photoluminescence emission from InAs quantum structure on GaAs (001) substrate
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ke Liu ; Wenquan Ma ; Jianliang Huang ; Yanhua Zhang ; Yulian Cao ; Wenjun Huang ; Shuai Luo ; Tao Yang |
| 刊名 | Applied Physics Letters
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 107期号:4页码:041103 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26789]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ke Liu,Wenquan Ma,Jianliang Huang,et al. Longer than 1.9 μm photoluminescence emission from InAs quantum structure on GaAs (001) substrate[J]. Applied Physics Letters,2015,107(4):041103. |
| APA | Ke Liu.,Wenquan Ma.,Jianliang Huang.,Yanhua Zhang.,Yulian Cao.,...&Tao Yang.(2015).Longer than 1.9 μm photoluminescence emission from InAs quantum structure on GaAs (001) substrate.Applied Physics Letters,107(4),041103. |
| MLA | Ke Liu,et al."Longer than 1.9 μm photoluminescence emission from InAs quantum structure on GaAs (001) substrate".Applied Physics Letters 107.4(2015):041103. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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