Transistor Laser With a Current Confinement Aperture in the Emitter Ridge
文献类型：期刊论文
| 作者 | Song Liang ; Lijun Qiao ; Liangshun Han ; Junjie Xu ; Hongliang Zhu ; Wei Wang |
| 刊名 | ieee electron device letters
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 36期号:10页码:1063-1065 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26802]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Song Liang,Lijun Qiao,Liangshun Han,et al. Transistor Laser With a Current Confinement Aperture in the Emitter Ridge[J]. ieee electron device letters,2015,36(10):1063-1065. |
| APA | Song Liang,Lijun Qiao,Liangshun Han,Junjie Xu,Hongliang Zhu,&Wei Wang.(2015).Transistor Laser With a Current Confinement Aperture in the Emitter Ridge.ieee electron device letters,36(10),1063-1065. |
| MLA | Song Liang,et al."Transistor Laser With a Current Confinement Aperture in the Emitter Ridge".ieee electron device letters 36.10(2015):1063-1065. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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