Evaluation of growth mode and optimization of growth parameters for GaAs epitaxy in V-shaped
文献类型：期刊论文
| 作者 | Shiyan Li ; Xuliang Zhou ; Xiangting Kong ; Mengke Li ; Junping Mi ; Jing Bian ; Wei Wang ; Jiaoqing Pan |
| 刊名 | journal of crystal growth
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 426页码:147-152 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26803]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Shiyan Li,Xuliang Zhou,Xiangting Kong,et al. Evaluation of growth mode and optimization of growth parameters for GaAs epitaxy in V-shaped[J]. journal of crystal growth,2015,426:147-152. |
| APA | Shiyan Li.,Xuliang Zhou.,Xiangting Kong.,Mengke Li.,Junping Mi.,...&Jiaoqing Pan.(2015).Evaluation of growth mode and optimization of growth parameters for GaAs epitaxy in V-shaped.journal of crystal growth,426,147-152. |
| MLA | Shiyan Li,et al."Evaluation of growth mode and optimization of growth parameters for GaAs epitaxy in V-shaped".journal of crystal growth 426(2015):147-152. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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