Selective Area Growth of GaAs in V-Grooved Trenches on Si(001) Substrates by Aspect-Ratio
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li ShiYan ; Zhou XuLiang ; Kong XiangTing ; Li MengKe ; Mi JunPing ; Bian Jing ; Wang Wei ; Pan JiaoQing |
| 刊名 | chinese physics letters
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 32期号:2页码:028101 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26811]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li ShiYan,Zhou XuLiang,Kong XiangTing,et al. Selective Area Growth of GaAs in V-Grooved Trenches on Si(001) Substrates by Aspect-Ratio[J]. chinese physics letters,2015,32(2):028101. |
| APA | Li ShiYan.,Zhou XuLiang.,Kong XiangTing.,Li MengKe.,Mi JunPing.,...&Pan JiaoQing.(2015).Selective Area Growth of GaAs in V-Grooved Trenches on Si(001) Substrates by Aspect-Ratio.chinese physics letters,32(2),028101. |
| MLA | Li ShiYan,et al."Selective Area Growth of GaAs in V-Grooved Trenches on Si(001) Substrates by Aspect-Ratio".chinese physics letters 32.2(2015):028101. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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