Continuous-wave operation up to 20°C of deep ridge npn-InGaAsP/InP multiple quantum well transistor laser emitting at 1.5-μm wavelength
文献类型：期刊论文
| 作者 | L.J.Qiao ; S.Liang ; L.S.Han ; J.J.Xu ; H.L.Zhu ; W.Wang |
| 刊名 | Optics express
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 23期号:9页码:11388-11393 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26813]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | L.J.Qiao,S.Liang,L.S.Han,et al. Continuous-wave operation up to 20°C of deep ridge npn-InGaAsP/InP multiple quantum well transistor laser emitting at 1.5-μm wavelength[J]. Optics express,2015,23(9):11388-11393. |
| APA | L.J.Qiao,S.Liang,L.S.Han,J.J.Xu,H.L.Zhu,&W.Wang.(2015).Continuous-wave operation up to 20°C of deep ridge npn-InGaAsP/InP multiple quantum well transistor laser emitting at 1.5-μm wavelength.Optics express,23(9),11388-11393. |
| MLA | L.J.Qiao,et al."Continuous-wave operation up to 20°C of deep ridge npn-InGaAsP/InP multiple quantum well transistor laser emitting at 1.5-μm wavelength".Optics express 23.9(2015):11388-11393. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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