A GaAs-based Hybrid Integration of a Tunneling Diode and a 1060-nm Semiconductor Laser
文献类型：期刊论文
| 作者 | Junping Mi ; Hongyan Yu ; Huolei Wang ; Shaoyang Tan ; Weixi Chen ; Ying Ding ; Jiaoqing Pan |
| 刊名 | ieee photonics technology letters
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 27期号:2页码:169-172 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26754]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Junping Mi,Hongyan Yu,Huolei Wang,et al. A GaAs-based Hybrid Integration of a Tunneling Diode and a 1060-nm Semiconductor Laser[J]. ieee photonics technology letters,2015,27(2):169-172. |
| APA | Junping Mi.,Hongyan Yu.,Huolei Wang.,Shaoyang Tan.,Weixi Chen.,...&Jiaoqing Pan.(2015).A GaAs-based Hybrid Integration of a Tunneling Diode and a 1060-nm Semiconductor Laser.ieee photonics technology letters,27(2),169-172. |
| MLA | Junping Mi,et al."A GaAs-based Hybrid Integration of a Tunneling Diode and a 1060-nm Semiconductor Laser".ieee photonics technology letters 27.2(2015):169-172. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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