High-Mobility In0.23Ga0.77As Channel MOSFETs Grown on Ge/Si Virtual Substrate by MOCVD
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xiangting Kong ; Xuliang Zhou ; Shiyan Li ; Hudong Chang ; Honggang Liu ; Jing Wang ; Renrong Liang ; Wei Wang ; Jiaoqing Pan |
| 刊名 | ieee transactions on electron devices
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 62期号:5页码:1456-1459 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26766]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xiangting Kong,Xuliang Zhou,Shiyan Li,et al. High-Mobility In0.23Ga0.77As Channel MOSFETs Grown on Ge/Si Virtual Substrate by MOCVD[J]. ieee transactions on electron devices,2015,62(5):1456-1459. |
| APA | Xiangting Kong.,Xuliang Zhou.,Shiyan Li.,Hudong Chang.,Honggang Liu.,...&Jiaoqing Pan.(2015).High-Mobility In0.23Ga0.77As Channel MOSFETs Grown on Ge/Si Virtual Substrate by MOCVD.ieee transactions on electron devices,62(5),1456-1459. |
| MLA | Xiangting Kong,et al."High-Mobility In0.23Ga0.77As Channel MOSFETs Grown on Ge/Si Virtual Substrate by MOCVD".ieee transactions on electron devices 62.5(2015):1456-1459. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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