Effect of hydrogen flow on growth of 3C-SiC heteroepitaxial layers on Si(111) substrates
文献类型：期刊论文
| 作者 | Guoguo Yan ; Feng Zhang ; Yingxi Niu ; Fei Yang ; Xingfang Liu ; Lei Wang ; Wanshun Zhao ; Guosheng Sun ; Yiping Zeng |
| 刊名 | applied surface science
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 353页码:744-749 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26845]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Guoguo Yan,Feng Zhang,Yingxi Niu,et al. Effect of hydrogen flow on growth of 3C-SiC heteroepitaxial layers on Si(111) substrates[J]. applied surface science,2015,353:744-749. |
| APA | Guoguo Yan.,Feng Zhang.,Yingxi Niu.,Fei Yang.,Xingfang Liu.,...&Yiping Zeng.(2015).Effect of hydrogen flow on growth of 3C-SiC heteroepitaxial layers on Si(111) substrates.applied surface science,353,744-749. |
| MLA | Guoguo Yan,et al."Effect of hydrogen flow on growth of 3C-SiC heteroepitaxial layers on Si(111) substrates".applied surface science 353(2015):744-749. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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