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A Novel Multi-Finger Gate Structure of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor

文献类型:期刊论文

作者Lei Cui ; Quan Wang ; XiaoLiang Wang ; HongLing Xiao ; CuiMei Wang ; LiJuan Jiang ; Chun Feng ; HaiBo Yin ; JiaMin Gong ; BaiQuan Li ; ZhanGuo Wang
刊名chin. phys. lett.
出版日期2015
卷号32期号:5页码:58501-58504
学科主题半导体材料
收录类别SCI
语种英语
公开日期2016-03-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26856]  
专题半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
Lei Cui,Quan Wang,XiaoLiang Wang,et al. A Novel Multi-Finger Gate Structure of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor[J]. chin. phys. lett.,2015,32(5):58501-58504.
APA Lei Cui.,Quan Wang.,XiaoLiang Wang.,HongLing Xiao.,CuiMei Wang.,...&ZhanGuo Wang.(2015).A Novel Multi-Finger Gate Structure of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor.chin. phys. lett.,32(5),58501-58504.
MLA Lei Cui,et al."A Novel Multi-Finger Gate Structure of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor".chin. phys. lett. 32.5(2015):58501-58504.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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