Observation of a Current Plateau in the Transfer Characteristics of InGaN/AlGaN/AlN/GaN Heterojunction Field Effect Transistors
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yan Jun-Da ; Wang Quan ; Wang Xiao-Liang ; Xiao Hong-Ling ; Jiang Li-Juan ; Yin Hai-Bo ; Feng Chun ; Wang Cui-Mei ; Qu Shen-Qi ; Gong Jia-Min ; Zhang Bo ; Li Bai-Quan ; Wang Zhan-Guo ; Hou Xun |
| 刊名 | chin. phys. lett.
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| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 32期号:12页码:127301 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2016-03-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26857]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yan Jun-Da,Wang Quan,Wang Xiao-Liang,et al. Observation of a Current Plateau in the Transfer Characteristics of InGaN/AlGaN/AlN/GaN Heterojunction Field Effect Transistors[J]. chin. phys. lett.,2015,32(12):127301. |
| APA | Yan Jun-Da.,Wang Quan.,Wang Xiao-Liang.,Xiao Hong-Ling.,Jiang Li-Juan.,...&Hou Xun.(2015).Observation of a Current Plateau in the Transfer Characteristics of InGaN/AlGaN/AlN/GaN Heterojunction Field Effect Transistors.chin. phys. lett.,32(12),127301. |
| MLA | Yan Jun-Da,et al."Observation of a Current Plateau in the Transfer Characteristics of InGaN/AlGaN/AlN/GaN Heterojunction Field Effect Transistors".chin. phys. lett. 32.12(2015):127301. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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